IXFR50N50
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXFR50N50 |
| PNEDA Teilenummer | IXFR50N50 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFR50N50 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFR50N50 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFR50N50 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 43A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 400W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS247™ |
| Paket / Fall | ISOPLUS247™ |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 266mOhm @ 750mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-MCPH Paket / Fall 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
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