IXFQ50N60X
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| Teilenummer | IXFQ50N60X |
| PNEDA Teilenummer | IXFQ50N60X |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 50A TO3P |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFQ50N60X Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFQ50N60X |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFQ50N60X Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4660pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 660W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 816pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 90W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 21W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PDFN (3x3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
