Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFP180N10T2

IXFP180N10T2

Nur als Referenz

Teilenummer IXFP180N10T2
PNEDA Teilenummer IXFP180N10T2
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.402
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 6 - Feb 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFP180N10T2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFP180N10T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFP180N10T2, IXFP180N10T2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 208,18 KB)
PDFIXFA180N10T2 Datenblatt Cover
IXFA180N10T2 Datenblatt Seite 2 IXFA180N10T2 Datenblatt Seite 3 IXFA180N10T2 Datenblatt Seite 4 IXFA180N10T2 Datenblatt Seite 5 IXFA180N10T2 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFP180N10T2 Datasheet
  • where to find IXFP180N10T2
  • IXYS

  • IXYS IXFP180N10T2
  • IXFP180N10T2 PDF Datasheet
  • IXFP180N10T2 Stock

  • IXFP180N10T2 Pinout
  • Datasheet IXFP180N10T2
  • IXFP180N10T2 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFP180N10T2 Price
  • IXFP180N10T2 Distributor

IXFP180N10T2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs185nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)480W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPI80N04S204AKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3-1

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STI26NM60N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMN2027UPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1091pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

DMG4N60SCT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

532pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

113W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

DMP1012USS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP

250S130-RADR

250S130-RADR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 130MA 2SMD

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

HCNR201-000E

HCNR201-000E

Broadcom

OPTOISO 5KV LINEAR PHVOLT 8DIP

MP4560DN-LF-Z

MP4560DN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

TA8428K(O,S)

TA8428K(O,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP

S1M-13-F

S1M-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

SA555D

SA555D

ON Semiconductor

IC OSC SINGLE TIMER 8-SOP

DS1818R-10+T&R

DS1818R-10+T&R

Maxim Integrated

IC 2.88V W/PB 10% SOT23-3

BAT54C-7-F

BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

MAX8903CETI+

MAX8903CETI+

Maxim Integrated

IC DC/DC CHARGER LI+ 2A 28-TQFN