IXFK160N30T
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| Teilenummer | IXFK160N30T |
| PNEDA Teilenummer | IXFK160N30T |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 300V 160A TO-264 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFK160N30T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFK160N30T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFK160N30T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GigaMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 160A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 335nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1390W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264AA (IXFK) |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Ta), 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-Microfoot Paket / Fall 4-XFBGA |
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