IXFK120N30P3
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| Teilenummer | IXFK120N30P3 |
| PNEDA Teilenummer | IXFK120N30P3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.208 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFK120N30P3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFK120N30P3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXFK120N30P3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, Polar3™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8630pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1130W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-264AA (IXFK) |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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