Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFH76N07-11

IXFH76N07-11

Nur als Referenz

Teilenummer IXFH76N07-11
PNEDA Teilenummer IXFH76N07-11
Beschreibung MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.232
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFH76N07-11 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFH76N07-11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFH76N07-11, IXFH76N07-11 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 80,11 KB)
PDFIXFH76N07-12 Datenblatt Cover
IXFH76N07-12 Datenblatt Seite 2 IXFH76N07-12 Datenblatt Seite 3 IXFH76N07-12 Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFH76N07-11 Datasheet
  • where to find IXFH76N07-11
  • IXYS

  • IXYS IXFH76N07-11
  • IXFH76N07-11 PDF Datasheet
  • IXFH76N07-11 Stock

  • IXFH76N07-11 Pinout
  • Datasheet IXFH76N07-11
  • IXFH76N07-11 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFH76N07-11 Price
  • IXFH76N07-11 Distributor

IXFH76N07-11 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)70V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)360W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXFH)
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STD15P6F6AG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 48V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APTM120DA29TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP4

Paket / Fall

SP4

APT20M22LVFRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

435nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

520W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264 [L]

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

NTR2101PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1173pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2890pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

ZM4744A-GS18

ZM4744A-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 15V 1W DO213AB

SMLVT3V3

SMLVT3V3

STMicroelectronics

TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

TOP224PN

TOP224PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV 8DIP

MPSA70RLRMG

MPSA70RLRMG

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.1A TO-92

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

PIC16F1705-I/P

PIC16F1705-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 14DIP

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

SBR05U20LPS-7

SBR05U20LPS-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 20V 500MA 2DFN

HSMS-2820-TR1G

HSMS-2820-TR1G

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3

L298P

L298P

STMicroelectronics

IC BRIDGE DRIVER PAR 20POWERSO