IXFH58N20
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| Teilenummer | IXFH58N20 |
| PNEDA Teilenummer | IXFH58N20 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.046 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXFH58N20 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXFH58N20 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IXFH58N20 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 58A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD (IXFH) |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOP Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2745pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 180W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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