Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXFH14N80P

IXFH14N80P

Nur als Referenz

Teilenummer IXFH14N80P
PNEDA Teilenummer IXFH14N80P
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.640
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXFH14N80P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFH14N80P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFH14N80P, IXFH14N80P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 226,56 KB)
PDFIXFV14N80PS Datenblatt Cover
IXFV14N80PS Datenblatt Seite 2 IXFV14N80PS Datenblatt Seite 3 IXFV14N80PS Datenblatt Seite 4 IXFV14N80PS Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXFH14N80P Datasheet
  • where to find IXFH14N80P
  • IXYS

  • IXYS IXFH14N80P
  • IXFH14N80P PDF Datasheet
  • IXFH14N80P Stock

  • IXFH14N80P Pinout
  • Datasheet IXFH14N80P
  • IXFH14N80P Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXFH14N80P Price
  • IXFH14N80P Distributor

IXFH14N80P Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™, PolarHT™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs720mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3900pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)400W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXFH)
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDI8441_F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

TPH1400ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.6mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

TK160F10N1L,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10100pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-220SM(W)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF530STRLPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NIF9N05CLT3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

52V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 35V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.69W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

GS-R424

GS-R424

STMicroelectronics

DC DC CONVERTER 24V 4A

3296W-1-203LF

3296W-1-203LF

Bourns

TRIMMER 20K OHM 0.5W PC PIN TOP

TDA10H0SB1

TDA10H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

EVQ-P7C01P

EVQ-P7C01P

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

KSZ8863MLLI

KSZ8863MLLI

Microchip Technology

IC ETHERNET SWITCH 3PORT 48-LQFP

WSL20102L000FEA

WSL20102L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1/2W 2010

74ACT08SC

74ACT08SC

ON Semiconductor

IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC

TC622VAT

TC622VAT

Microchip Technology

IC TEMP SNSR PROG 5V TO220-5

A3972SB-T

A3972SB-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC MTR DRV BIPOLR 4.5-5.5V 24DIP

MB6S

MB6S

ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

AT45DB161D-SU

AT45DB161D-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 16M SPI 66MHZ 8SOIC