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IXFH110N15T2

IXFH110N15T2

Nur als Referenz

Teilenummer IXFH110N15T2
PNEDA Teilenummer IXFH110N15T2
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 110A TO-247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.276
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IXFH110N15T2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFH110N15T2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFH110N15T2, IXFH110N15T2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 165,57 KB)
PDFIXFH110N15T2 Datenblatt Cover
IXFH110N15T2 Datenblatt Seite 2 IXFH110N15T2 Datenblatt Seite 3 IXFH110N15T2 Datenblatt Seite 4 IXFH110N15T2 Datenblatt Seite 5 IXFH110N15T2 Datenblatt Seite 6

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IXFH110N15T2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieTrenchT2™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)480W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXFH)
Paket / FallTO-247-3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FDR858P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-8

Paket / Fall

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

DMP2066LVT-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.4nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1496pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

BSC118N10NSGATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 71A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

114W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2460pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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