IXFB50N80Q2
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Teilenummer | IXFB50N80Q2 |
PNEDA Teilenummer | IXFB50N80Q2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 |
Hersteller | IXYS |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.210 |
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IXFB50N80Q2 Ressourcen
Marke | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IXFB50N80Q2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IXFB50N80Q2 Technische Daten
Hersteller | IXYS |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1135W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PLUS264™ |
Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
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