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IXFB110N60P3

IXFB110N60P3

Nur als Referenz

Teilenummer IXFB110N60P3
PNEDA Teilenummer IXFB110N60P3
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.028
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IXFB110N60P3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXFB110N60P3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IXFB110N60P3, IXFB110N60P3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 136,53 KB)
PDFIXFB110N60P3 Datenblatt Cover
IXFB110N60P3 Datenblatt Seite 2 IXFB110N60P3 Datenblatt Seite 3 IXFB110N60P3 Datenblatt Seite 4 IXFB110N60P3 Datenblatt Seite 5

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IXFB110N60P3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFET™, Polar3™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs245nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds18000pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1890W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketPLUS264™
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

103A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

620nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

24600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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IXYS

Serie

-

FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

157nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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