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IXDN630MCI

IXDN630MCI

Nur als Referenz

Teilenummer IXDN630MCI
PNEDA Teilenummer IXDN630MCI
Beschreibung IC GATE DRIVER LOW SIDE 5TO220
Hersteller IXYS Integrated Circuits Division
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Auf Lager 2.394
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 27 - Mär 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXDN630MCI Ressourcen

Marke IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDN630MCI
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IXDN630MCI, IXDN630MCI Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 289,55 KB)
PDFIXDN630MYI Datenblatt Cover
IXDN630MYI Datenblatt Seite 2 IXDN630MYI Datenblatt Seite 3 IXDN630MYI Datenblatt Seite 4 IXDN630MYI Datenblatt Seite 5 IXDN630MYI Datenblatt Seite 6 IXDN630MYI Datenblatt Seite 7 IXDN630MYI Datenblatt Seite 8 IXDN630MYI Datenblatt Seite 9 IXDN630MYI Datenblatt Seite 10 IXDN630MYI Datenblatt Seite 11

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IXDN630MCI Technische Daten

HerstellerIXYS Integrated Circuits Division
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung9V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 3.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)30A, 30A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)11ns, 11ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-5
LieferantengerätepaketTO-220-5

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 6.85V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 4.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

17ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HIP6601BCBZA-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IR1175S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SSOP

UCC27526DSDT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

5A, 5A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7ns, 6ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-2

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.5V ~ 15.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

50A, 50A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1700V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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