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IXDN414CI

IXDN414CI

Nur als Referenz

Teilenummer IXDN414CI
PNEDA Teilenummer IXDN414CI
Beschreibung IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.084
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXDN414CI Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDN414CI
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IXDN414CI, IXDN414CI Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 590,8 KB)
PDFIXDN414YI Datenblatt Cover
IXDN414YI Datenblatt Seite 2 IXDN414YI Datenblatt Seite 3 IXDN414YI Datenblatt Seite 4 IXDN414YI Datenblatt Seite 5 IXDN414YI Datenblatt Seite 6 IXDN414YI Datenblatt Seite 7 IXDN414YI Datenblatt Seite 8 IXDN414YI Datenblatt Seite 9 IXDN414YI Datenblatt Seite 10

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IXDN414CI Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 3.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)14A, 14A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)22ns, 20ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-5
LieferantengerätepaketTO-220-5

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

HIP2101EIB

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

ISL6622IRZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-DFN (3x3)

IRS2109C

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

-

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

-

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IXA611P7

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

600mA, 600mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

650V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

23ns, 22ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

14-DIP

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