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IXDI504PI

IXDI504PI

Nur als Referenz

Teilenummer IXDI504PI
PNEDA Teilenummer IXDI504PI
Beschreibung IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-DIP
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.490
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXDI504PI Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXDI504PI
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IXDI504PI, IXDI504PI Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 410,3 KB)
PDFIXDN504D1T/R Datenblatt Cover
IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 2 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 3 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 4 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 5 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 6 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 7 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 8 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 9 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 10 IXDN504D1T/R Datenblatt Seite 11

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IXDI504PI Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4A, 4A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)9ns, 8ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5.5V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

31ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

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Hersteller

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 2.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

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Hersteller

Monolithic Power Systems Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 2.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ISL6594BCBZ

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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