IXDF502D1T/R
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXDF502D1T/R |
| PNEDA Teilenummer | IXDF502D1T-R |
| Beschreibung | IC MOSF DRIVER FAST DUAL 6-DFN |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXDF502D1T/R Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDF502D1T/R |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IXDF502D1T/R Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 30V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 7.5ns, 6.5ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN (4x5) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 125mA, 250mA Eingabetyp RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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