IXDD614CI
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| Teilenummer | IXDD614CI |
| PNEDA Teilenummer | IXDD614CI |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 14A LO SIDE TO-220-5 |
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXDD614CI Ressourcen
| Marke | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXDD614CI |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IXDD614CI Technische Daten
| Hersteller | IXYS Integrated Circuits Division |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 35V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 14A, 14A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 25ns, 18ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-5 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-5 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 5V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 350mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 130ns, 50ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
