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IXD611S1T/R

IXD611S1T/R

Nur als Referenz

Teilenummer IXD611S1T/R
PNEDA Teilenummer IXD611S1T-R
Beschreibung IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 25 - Jan 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXD611S1T/R Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXD611S1T/R
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IXD611S1T/R, IXD611S1T/R Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 272,4 KB)
PDFIXD611S7T/R Datenblatt Cover
IXD611S7T/R Datenblatt Seite 2 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 3 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 4 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 5 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 6 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 7 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 8 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 9 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 10 IXD611S7T/R Datenblatt Seite 11

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IXD611S1T/R Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH2.4V, 2.7V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)600mA, 600mA
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)28ns, 18ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

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1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 3.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

70ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

80ns, 40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

18ns, 21ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Dialog Semiconductor GmbH

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Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

0.4V, 5.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

32µA, 400µA

Eingabetyp

CMOS

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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MIC4100BMTR

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

3V, 8V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

400ns, 400ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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