IXBX75N170
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| Teilenummer | IXBX75N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXBX75N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.940 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXBX75N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXBX75N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXBX75N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | BIMOSFET™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 580A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 1040W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 350nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 480A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 120A Leistung - max 833W Schaltenergie 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 772nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/310ns Testbedingung 400V, 120A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 280ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-46 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 16A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 56W Schaltenergie 35µJ (on), 75µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/65ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 100µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/86ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A Leistung - max 52W Schaltenergie 230µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/54ns Testbedingung 300V, 10A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 167W Schaltenergie 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/140ns Testbedingung 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
