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IXBT6N170

IXBT6N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXBT6N170
PNEDA Teilenummer IXBT6N170
Beschreibung IGBT 1700V 12A 75W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXBT6N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBT6N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBT6N170, IXBT6N170 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 180,22 KB)
PDFIXBT6N170 Datenblatt Cover
IXBT6N170 Datenblatt Seite 2 IXBT6N170 Datenblatt Seite 3 IXBT6N170 Datenblatt Seite 4 IXBT6N170 Datenblatt Seite 5

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IXBT6N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)36A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 6A
Leistung - max75W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.08µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

186W

Schaltenergie

3mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

330ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.2A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

220µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/260ns

Testbedingung

800V, 2A, 91Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IRG7CH28UEF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 2.5A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/225ns

Testbedingung

600V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/400ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

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