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IXBN75N170

IXBN75N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXBN75N170
PNEDA Teilenummer IXBN75N170
Beschreibung IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXBN75N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBN75N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IXBN75N170, IXBN75N170 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 174,98 KB)
PDFIXBN75N170 Datenblatt Cover
IXBN75N170 Datenblatt Seite 2 IXBN75N170 Datenblatt Seite 3 IXBN75N170 Datenblatt Seite 4 IXBN75N170 Datenblatt Seite 5

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IXBN75N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)145A
Leistung - max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)25µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.93nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Leistung - max

298W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 90A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.8nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

FZ2400R17HP4HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FS200R12KT4RPB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FZ1500R33HE3BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1500A

Leistung - max

17000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1500A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

280nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ3600R17HE4HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7200A

Leistung - max

21000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 3600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

295nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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