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IXA220I650NA

IXA220I650NA

Nur als Referenz

Teilenummer IXA220I650NA
PNEDA Teilenummer IXA220I650NA
Beschreibung IGBT MODULE 650V SOT227
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.958
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXA220I650NA Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXA220I650NA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IXA220I650NA, IXA220I650NA Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 118,65 KB)
PDFIXA220I650NA Datenblatt Cover
IXA220I650NA Datenblatt Seite 2 IXA220I650NA Datenblatt Seite 3 IXA220I650NA Datenblatt Seite 4

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IXA220I650NA Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)225A
Leistung - max625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

650W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF300A120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

APTGLQ25H120T2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

165W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.43nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP2

FP75R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Leistung - max

85W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.8nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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