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IX6R11S3T/R

IX6R11S3T/R

Nur als Referenz

Teilenummer IX6R11S3T/R
PNEDA Teilenummer IX6R11S3T-R
Beschreibung IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IX6R11S3T/R Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIX6R11S3T/R
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IX6R11S3T/R, IX6R11S3T/R Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 515,36 KB)
PDFIX6R11S6T/R Datenblatt Cover
IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 2 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 3 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 4 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 5 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 6 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 7 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 8 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 9 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 10 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 11

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IX6R11S3T/R Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH6V, 9.6V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)6A, 6A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)25ns, 17ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

Serie

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Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

1.08V, 1.93V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 6A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4ns, 3.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

14-DIP

DGD2136MS28-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

90ns, 35ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SO

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Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-2

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

23.5V ~ 26.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

35A, 35A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

4500V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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