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IX6R11M6

IX6R11M6

Nur als Referenz

Teilenummer IX6R11M6
PNEDA Teilenummer IX6R11M6
Beschreibung IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-MLP
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IX6R11M6 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIX6R11M6
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IX6R11M6, IX6R11M6 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 515,36 KB)
PDFIX6R11S6T/R Datenblatt Cover
IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 2 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 3 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 4 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 5 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 6 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 7 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 8 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 9 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 10 IX6R11S6T/R Datenblatt Seite 11

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IX6R11M6 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH6V, 9.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)25ns, 17ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-MLP (7x6)

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-10°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (2x2)

LM5100BMAX

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

570ns, 430ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

NCP1392DDR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4423AVMF713

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4.5A, 4.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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