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ISL9V3040D3S

ISL9V3040D3S

Nur als Referenz

Teilenummer ISL9V3040D3S
PNEDA Teilenummer ISL9V3040D3S
Beschreibung IGBT 430V 21A 150W TO252AA
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.448
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ISL9V3040D3S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL9V3040D3S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
ISL9V3040D3S, ISL9V3040D3S Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 476,91 KB)
PDFISL9V3040S3S Datenblatt Cover
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ISL9V3040D3S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieEcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)430V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)21A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 6A
Leistung - max150W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge17nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/4.8µs
Testbedingung300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252AA

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

62µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 3A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

77ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

NGTB03N60R2DT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 3A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

50µJ (on), 27µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/59ns

Testbedingung

300V, 3A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG4IBC30FDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.6mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

143ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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