ISL9K8120P3
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| Teilenummer | ISL9K8120P3 |
| PNEDA Teilenummer | ISL9K8120P3 |
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.442 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL9K8120P3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL9K8120P3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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ISL9K8120P3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Stealth™ |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 44ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 25V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
