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ISL89400AR3Z-T

ISL89400AR3Z-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL89400AR3Z-T
PNEDA Teilenummer ISL89400AR3Z-T
Beschreibung IC MOSFET DRVR 100V 1.25A 9-DFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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ISL89400AR3Z-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL89400AR3Z-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL89400AR3Z-T, ISL89400AR3Z-T Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 675,44 KB)
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ISL89400AR3Z-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung9V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH3.7V, 7.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.25A, 1.25A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)16ns, 16ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall9-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket9-DFN-EP (3x3)

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 17ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

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Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.6V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

900ps, 900ps

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 12.6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

125V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

65ns, 65ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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