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ISL89164FBEBZ-T

ISL89164FBEBZ-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL89164FBEBZ-T
PNEDA Teilenummer ISL89164FBEBZ-T
Beschreibung MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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ISL89164FBEBZ-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL89164FBEBZ-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL89164FBEBZ-T, ISL89164FBEBZ-T Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 834,2 KB)
PDFISL89165FRTCZ-T Datenblatt Cover
ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 2 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 3 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 4 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 5 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 6 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 7 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 8 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 9 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 10 ISL89165FRTCZ-T Datenblatt Seite 11

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ISL89164FBEBZ-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 16V
Logikspannung - VIL, VIH1.85V, 3.15V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)6A, 6A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)20ns, 20ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-SOIC-EP

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Spannung - Versorgung

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Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

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Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

23ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

13A, 13A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

30ns, 32ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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IXYS Integrated Circuits Division

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Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

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Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

18ns, 18ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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