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ISL8484IRZ-T

ISL8484IRZ-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL8484IRZ-T
PNEDA Teilenummer ISL8484IRZ-T
Beschreibung IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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ISL8484IRZ-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL8484IRZ-T
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
ISL8484IRZ-T, ISL8484IRZ-T Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 750,78 KB)
PDFISL8484IU-T Datenblatt Cover
ISL8484IU-T Datenblatt Seite 2 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 3 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 4 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 5 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 6 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 7 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 8 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 9 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 10 ISL8484IU-T Datenblatt Seite 11

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ISL8484IRZ-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
SchaltkreisSPDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung2:1
Anzahl der Schaltkreise2
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)500mOhm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)60mOhm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)1.65V ~ 4.5V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)-
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)40ns, 20ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion170pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))62pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)100nA
Übersprechen-85dB @ 100kHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall10-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-TDFN (3x3)

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

26Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 16V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3V ~ 8V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

60ns, 35ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

6.6pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF, 6pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-114dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

DG418LDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

20Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

43ns, 31ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-71dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

ADG884BRMZ

Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

370mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

10mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50ns, 20ns

-3db Bandbreite

18MHz

Ladungsinjektion

125pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

103pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

200pA (Typ)

Übersprechen

-120dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

10-MSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

16:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

140Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

8.5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

51ns, 49ns

-3db Bandbreite

90MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF, 45pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

800nA

Übersprechen

-80dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

900mOhm (Typ)

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.5V ~ 2V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

8ns, 4ns

-3db Bandbreite

1.8GHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

-

Übersprechen

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Betriebstemperatur

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