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ISL84517IBZ

ISL84517IBZ

Nur als Referenz

Teilenummer ISL84517IBZ
PNEDA Teilenummer ISL84517IBZ
Beschreibung IC SWITCH SPST 8SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 4.644
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ISL84517IBZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL84517IBZ
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
ISL84517IBZ, ISL84517IBZ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 614,72 KB)
PDFISL84517IBZ-T Datenblatt Cover
ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 2 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 3 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 4 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 5 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 6 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 7 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 8 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 9 ISL84517IBZ-T Datenblatt Seite 10

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ISL84517IBZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
SchaltkreisSPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung1:1
Anzahl der Schaltkreise1
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)20Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)-
Spannung - Versorgung, einfach (V +)-
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±1.5V ~ 6V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)100ns, 75ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion10pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))9pF, 9pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)1nA
Übersprechen-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SP4T

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

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Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

100Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

10Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

95MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

80pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-60dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Serie

-

Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

50Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

1.5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

5V ~ 30V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±5V ~ 15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

120ns, 75ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

10pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF, 10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-86dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

16-PDIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

8:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

26Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

10Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±3V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

23ns, 23ns

-3db Bandbreite

95MHz

Ladungsinjektion

12pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

10pF, 10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

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Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

110Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

3Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2.7V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

13pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

160Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

3.5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

9V ~ 40V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

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Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

140ns, 185ns

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Ladungsinjektion

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100pA

Übersprechen

-90dB @ 1MHz

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