ISL6613BECBZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL6613BECBZ |
| PNEDA Teilenummer | ISL6613BECBZ |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.056 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6613BECBZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6613BECBZ |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6613BECBZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 7V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.25A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 26ns, 18ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 15V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.2A, 1.2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 15ns, 15ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 14-PDIP |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-VQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-QFN (4x4) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 9A, 9A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 22ns, 22ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-TDFN (2x3) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 4V, 7V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
