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ISL6612CBZA-T

ISL6612CBZA-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6612CBZA-T
PNEDA Teilenummer ISL6612CBZA-T
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 2.304
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ISL6612CBZA-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6612CBZA-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6612CBZA-T, ISL6612CBZA-T Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 674,48 KB)
PDFISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Cover
ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 2 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 3 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 4 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 5 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 6 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 7 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 8 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 9 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 10 ISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Seite 11

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ISL6612CBZA-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.25A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)26ns, 18ns
Betriebstemperatur0°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 17V

Logikspannung - VIL, VIH

3V, 8V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-VSON (4x4)

MCP14A0051T-E/MAY

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 28ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN (2x2)

HT0440LG-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.5V, 3.15V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

400V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

650µs, 3ms (Max)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

6EDL04I06PCX1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EiceDriver™

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

13V ~ 17.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.1V, 1.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

60ns, 26ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Chip

L6743QTR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5V ~ 12V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, -

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

41V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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