ISL6612BECBZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | ISL6612BECBZ |
| PNEDA Teilenummer | ISL6612BECBZ |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.696 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6612BECBZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6612BECBZ |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6612BECBZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 7V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1.25A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 26ns, 18ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 8V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.2A, 1.8A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 15ns, 10ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-WSON (4x4) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 12ns, 13ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.9A, 2.3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 6.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-DFN (3x3) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 13.5V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 15V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40ns, 20ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
