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ISL6605IRZ-T

ISL6605IRZ-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6605IRZ-T
PNEDA Teilenummer ISL6605IRZ-T
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 5.526
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ISL6605IRZ-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6605IRZ-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6605IRZ-T, ISL6605IRZ-T Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 552,92 KB)
PDFISL6605CRZR5168 Datenblatt Cover
ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 2 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 3 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 4 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 5 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 6 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 7 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 8 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 9 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 10

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ISL6605IRZ-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)33V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)8ns, 8ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-QFN (3x3)

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 30V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9ns, 8ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

LT1336CS#PBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

60V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

130ns, 60ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

IR2137Q

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

3

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

12.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

115ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-BQFP

Lieferantengerätepaket

64-MQFP (20x14)

L6387ED013TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

17V (Max)

Logikspannung - VIL, VIH

1.5V, 3.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

400mA, 650mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-45°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

NCP81075MNTXG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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