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ISL6605CRZR5168

ISL6605CRZR5168

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6605CRZR5168
PNEDA Teilenummer ISL6605CRZR5168
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNCH RECT 8QFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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ISL6605CRZR5168 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6605CRZR5168
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6605CRZR5168, ISL6605CRZR5168 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 552,92 KB)
PDFISL6605CRZR5168 Datenblatt Cover
ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 2 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 3 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 4 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 5 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 6 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 7 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 8 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 9 ISL6605CRZR5168 Datenblatt Seite 10

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ISL6605CRZR5168 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH1V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)33V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)8ns, 8ns
Betriebstemperatur0°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-QFN (3x3)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

40V (Max)

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

5A, 5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8.9ns, 8.9ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.25V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1.16V, 2.08V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 12.6V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.3A, 7.6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

82ns, 12.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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