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ISL6594BCR

ISL6594BCR

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6594BCR
PNEDA Teilenummer ISL6594BCR
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 7.542
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ISL6594BCR Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6594BCR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6594BCR, ISL6594BCR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 647,61 KB)
PDFISL6594BCRZ-T Datenblatt Cover
ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 2 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 3 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 4 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 5 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 6 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 7 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 8 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 9 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 10 ISL6594BCRZ-T Datenblatt Seite 11

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ISL6594BCR Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.25A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)26ns, 18ns
Betriebstemperatur0°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-DFN (3x3)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 1.2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 13ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

600mA, 600mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

650V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFQFN

Lieferantengerätepaket

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TSC428CBA+T

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4426EMF

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

19ns, 19ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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IXDF602PI

IXYS Integrated Circuits Division

Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7.5ns, 6.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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