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ISL6208CRZ

ISL6208CRZ

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6208CRZ
PNEDA Teilenummer ISL6208CRZ
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 8.658
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ISL6208CRZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6208CRZ
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6208CRZ, ISL6208CRZ Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 1.402,93 KB)
PDFISL6208CR-T Datenblatt Cover
ISL6208CR-T Datenblatt Seite 2 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 3 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 4 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 5 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 6 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 7 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 8 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 9 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 10 ISL6208CR-T Datenblatt Seite 11

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ISL6208CRZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH0.5V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)33V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)8ns, 8ns
Betriebstemperatur-10°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-QFN (3x3)

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Hersteller

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Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

600mA, 600mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

650V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFQFN

Lieferantengerätepaket

48-MLP

NCP5359ADR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

30V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

16ns, 15ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MCP14A0455-E/MNY

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4.5A, 4.5A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (2x3)

2DM150606CM

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Hersteller

Tamura

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

15V ~ 24V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

34-DIP Module, 31 Leads

Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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