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ISL5122IBZ

ISL5122IBZ

Nur als Referenz

Teilenummer ISL5122IBZ
PNEDA Teilenummer ISL5122IBZ
Beschreibung IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ISL5122IBZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL5122IBZ
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
ISL5122IBZ, ISL5122IBZ Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 956,01 KB)
PDFISL5123IHZ-T Datenblatt Cover
ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 2 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 3 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 4 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 5 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 6 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 7 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 8 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 9 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 10 ISL5123IHZ-T Datenblatt Seite 11

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ISL5122IBZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
SchaltkreisSPST - NO/NC
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung1:1
Anzahl der Schaltkreise2
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)20Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)800mOhm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)2.7V ~ 12V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)-
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)35ns, 30ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion5pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))8pF, 8pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)100pA
Übersprechen-105dB @ 1MHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

500mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

50mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50µs, 1µs

-3db Bandbreite

338MHz

Ladungsinjektion

-245pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-61dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:2

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

8Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

500mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

100µs, 50ns (Typ)

-3db Bandbreite

1GHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

7pF, 9pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1µA

Übersprechen

-35dB @ 240MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

10-UFQFN

Lieferantengerätepaket

10-UQFN (1.5x2)

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

80Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

185ns, 220ns (Typ)

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5.5pF, 5.5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

50nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 75°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.15Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

60mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

35ns, 15ns

-3db Bandbreite

300MHz

Ladungsinjektion

20pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

12pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

2nA (Typ)

Übersprechen

-70dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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*

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-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

-

Anzahl der Schaltkreise

-

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

-

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

-

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

-

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

-

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-

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-

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