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ISL2110ABZ-T

ISL2110ABZ-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL2110ABZ-T
PNEDA Teilenummer ISL2110ABZ-T
Beschreibung IC MSFT DVR HALF-BRG 100V 8-SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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ISL2110ABZ-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL2110ABZ-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL2110ABZ-T, ISL2110ABZ-T Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 754,45 KB)
PDFISL2110AR4Z Datenblatt Cover
ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 2 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 3 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 4 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 5 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 6 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 7 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 8 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 9 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 10 ISL2110AR4Z Datenblatt Seite 11

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ISL2110ABZ-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung8V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH3.7V, 7.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)3A, 4A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)9ns, 7.5ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 8A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

6.5ns, 4.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.2V ~ 15.8V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

12A, 12A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

300ns, 300ns

Betriebstemperatur

-20°C ~ 60°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

21-SIP Module

Lieferantengerätepaket

Module

TC1410NEPA

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

ISL6613BEIB

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

UCC27201ADRCT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 17V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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