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IS66WVE2M16ECLL-70BLI

IS66WVE2M16ECLL-70BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS66WVE2M16ECLL-70BLI
PNEDA Teilenummer IS66WVE2M16ECLL-70BLI
Beschreibung IC PSRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS66WVE2M16ECLL-70BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS66WVE2M16ECLL-70BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS66WVE2M16ECLL-70BLI, IS66WVE2M16ECLL-70BLI Datenblatt (Total Pages: 33, Größe: 647,07 KB)
PDFIS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Cover
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 2 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 3 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 4 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 5 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 6 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 7 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 8 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 9 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 10 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 11

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IS66WVE2M16ECLL-70BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße32Mb (2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

SC-70-5

IS43TR16640A-125JBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-TWBGA (9x13)

IS29GL128S-10DHB020

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (9x9)

MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

S99-50339

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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