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IS66WVE2M16EALL-70BLI

IS66WVE2M16EALL-70BLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS66WVE2M16EALL-70BLI
PNEDA Teilenummer IS66WVE2M16EALL-70BLI
Beschreibung IC PSRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 10.440
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IS66WVE2M16EALL-70BLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS66WVE2M16EALL-70BLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS66WVE2M16EALL-70BLI, IS66WVE2M16EALL-70BLI Datenblatt (Total Pages: 33, Größe: 647,07 KB)
PDFIS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Cover
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 2 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 3 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 4 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 5 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 6 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 7 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 8 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 9 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 10 IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 11

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IS66WVE2M16EALL-70BLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße32Mb (2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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IS61NLP51236-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TFBGA

Lieferantengerätepaket

165-TFBGA (13x15)

AT24C16D-UUM0B-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

4-WLCSP (2x2)

CY62148ELL-45SXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-SOIC

M29W128GL7AN6F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

S29PL032J70BAW120

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

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