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IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR
PNEDA Teilenummer IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR
Beschreibung IC PSRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR, IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 693,5 KB)
PDFIS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Cover
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 2 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 3 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 4 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 5 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 6 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 7 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 8 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 9 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 10 IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Datenblatt Seite 11

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IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatPSRAM
TechnologiePSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP

AT49BV163A-70TU

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

CY7C1512KV18-250BZXI

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

S29GL01GT10TFA010

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-T

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

S29WS128N0SBFW013

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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