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IS64WV6416BLL-15BA3

IS64WV6416BLL-15BA3

Nur als Referenz

Teilenummer IS64WV6416BLL-15BA3
PNEDA Teilenummer IS64WV6416BLL-15BA3
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 4.482
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS64WV6416BLL-15BA3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64WV6416BLL-15BA3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64WV6416BLL-15BA3, IS64WV6416BLL-15BA3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 134,15 KB)
PDFIS64WV6416BLL-15TA3-TR Datenblatt Cover
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IS64WV6416BLL-15BA3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-miniBGA (6x8)

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Hersteller

Macronix

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MX29GL

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

64-LFBGA, CSP (11x13)

IS61LV12816L-10LQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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44-LQFP

Lieferantengerätepaket

44-LQFP (10x10)

N25Q256A13EF8A0F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (64M x 4)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-VDFPN (MLP8) (8x6)

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

556-WFBGA

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CY7C131-25NXCT

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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