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IS64WV25616BLL-10BLA3

IS64WV25616BLL-10BLA3

Nur als Referenz

Teilenummer IS64WV25616BLL-10BLA3
PNEDA Teilenummer IS64WV25616BLL-10BLA3
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.496
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS64WV25616BLL-10BLA3 Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64WV25616BLL-10BLA3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64WV25616BLL-10BLA3, IS64WV25616BLL-10BLA3 Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 458,46 KB)
PDFIS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Cover
IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 2 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 3 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 4 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 5 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 6 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 7 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 8 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 9 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 10 IS61WV25616BLL-10BI-TR Datenblatt Seite 11

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IS64WV25616BLL-10BLA3 Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-miniBGA (6x8)

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S99-50043-02

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1514AV18-200BZI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

IS61NLP25672-250B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (256K x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.6ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

209-BGA

Lieferantengerätepaket

209-LFBGA (14x22)

M25P40-VMW6GB

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO W

71T75602S166PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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