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IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR

IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR
PNEDA Teilenummer IS64LF12832EC-7-5TQLA3-TR
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 100LQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR, IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR Datenblatt (Total Pages: 36, Größe: 2.400,01 KB)
PDFIS64LF12836EC-7.5B3LA3 Datenblatt Cover
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IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße4Mb (128K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-LQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

36ns

Zugriffszeit

36ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA

Lieferantengerätepaket

24-TFBGA (6x8)

CY7C1513KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-TFBGA

Lieferantengerätepaket

84-TWBGA (10.5x13)

6116LA25TDB

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

24-CDIP

7132SA55J8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

52-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

52-PLCC (19.13x19.13)

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