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IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR

IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR
PNEDA Teilenummer IS64LF12832A-7-5TQLA3-TR
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS64LF12832A-7.5TQLA3-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR, IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 945,77 KB)
PDFIS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Cover
IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 2 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 3 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 4 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 5 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 6 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 7 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 8 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 9 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 10 IS61LF12836A-7.5B2I-TR Datenblatt Seite 11

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IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße4Mb (128K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit7.5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT52L1G32D4PG-107 WT:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

32Gb (1G x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

178-VFBGA

Lieferantengerätepaket

178-FBGA (12x11.5)

70V658S10BFG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

208-LFBGA

Lieferantengerätepaket

208-FPBGA (15x15)

AT24C04N-10SC-1.8

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

S29GL064N11FFIV20

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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