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IS62WV5128DALL-55BLI-TR

IS62WV5128DALL-55BLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS62WV5128DALL-55BLI-TR
PNEDA Teilenummer IS62WV5128DALL-55BLI-TR
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS62WV5128DALL-55BLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS62WV5128DALL-55BLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS62WV5128DALL-55BLI-TR, IS62WV5128DALL-55BLI-TR Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 483,13 KB)
PDFIS62WV5128DBLL-45BI-TR Datenblatt Cover
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IS62WV5128DALL-55BLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall36-TFBGA
Lieferantengerätepaket36-TFBGA (6x8)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.8V ~ 6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM - EDO

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

84ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Micron Technology Inc.

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Betriebstemperatur

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