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IS62WV25616DBLL-45BI-TR

IS62WV25616DBLL-45BI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS62WV25616DBLL-45BI-TR
PNEDA Teilenummer IS62WV25616DBLL-45BI-TR
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS62WV25616DBLL-45BI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS62WV25616DBLL-45BI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS62WV25616DBLL-45BI-TR, IS62WV25616DBLL-45BI-TR Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 373,71 KB)
PDFIS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Cover
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 2 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 3 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 4 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 5 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 6 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 7 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 8 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 9 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 10 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 11

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IS62WV25616DBLL-45BI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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S29GL01GP13FFIV13

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

130ns

Zugriffszeit

130ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-WFBGA

Lieferantengerätepaket

256-FBGA (14x14)

S29GL064N11WEI049

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Wafer

IS62WV51216ALL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-miniBGA (7.2x8.7)

Hersteller

Macronix

Serie

MX25xxx05/06

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

300µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.35V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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