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IS62WV25616DALL-55BLI-TR

IS62WV25616DALL-55BLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS62WV25616DALL-55BLI-TR
PNEDA Teilenummer IS62WV25616DALL-55BLI-TR
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS62WV25616DALL-55BLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS62WV25616DALL-55BLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS62WV25616DALL-55BLI-TR, IS62WV25616DALL-55BLI-TR Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 373,71 KB)
PDFIS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Cover
IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 2 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 3 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 4 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 5 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 6 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 7 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 8 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 9 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 10 IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR Datenblatt Seite 11

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IS62WV25616DALL-55BLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA (6x8)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (8M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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