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IS62WV102416DBLL-55TLI-TR

IS62WV102416DBLL-55TLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS62WV102416DBLL-55TLI-TR
PNEDA Teilenummer IS62WV102416DBLL-55TLI-TR
Beschreibung IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS62WV102416DBLL-55TLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS62WV102416DBLL-55TLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS62WV102416DBLL-55TLI-TR, IS62WV102416DBLL-55TLI-TR Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 998,43 KB)
PDFIS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Cover
IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 2 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 3 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 4 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 5 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 6 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 7 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 8 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 9 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 10 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datenblatt Seite 11

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IS62WV102416DBLL-55TLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.2V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP I

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Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

M25P20-VMP6G

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

50MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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BR24C01-MN6TP

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

W25Q128BVEJG

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (8x6)

IS61LF102436B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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