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IS61WV6416DBLL-10TLI

IS61WV6416DBLL-10TLI

Nur als Referenz

Teilenummer IS61WV6416DBLL-10TLI
PNEDA Teilenummer IS61WV6416DBLL-10TLI
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 20.940
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS61WV6416DBLL-10TLI Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS61WV6416DBLL-10TLI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS61WV6416DBLL-10TLI, IS61WV6416DBLL-10TLI Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 737,82 KB)
PDFIS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Cover
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 2 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 3 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 4 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 5 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 6 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 7 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 8 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 9 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 10 IS64WV6416DBLL-10CTLA3 Datenblatt Seite 11

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IS61WV6416DBLL-10TLI Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Everspin Technologies Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

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Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.6ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

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100-TQFP (14x20)

W631GG8KB-11 TR

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

1.125Mb (128K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

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